15N40
参数
开关特性
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
漏极 - 源极漏电流
栅源漏电流
前锋
反向
初步
功率MOSFET
电气特性
符号
BV
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°C
最小典型最大单位
400
0.5
1
10
+100
-100
2.0
4.0
0.26 0.35
1310 1750
210 280
17
25
28
8
12
26
55
72
40
36
V
V /°C的
µA
µA
nA
nA
V
Ω
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
A
A
V
ns
µC
ΔBV
DSS
/∆T
J
参考至25℃ ，我
D
=250µA
I
DSS
I
GSS
V
DS
=400V, V
GS
=0V,
V
DS
= 320V ，T
C
=125°C
V
GS
=+30V, V
DS
=0V
V
GS
=-30V , V
DS
=0V
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
GS
=V
DS
, I
D
=250µA
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=7.5A
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=320V, V
GS
= 10V ，我
D
=15A
门源费
Q
GS
（注1,2）
栅漏（ "Miller" ）充电
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
上升时间
t
R
V
DD
= 200V ，我
D
= 15A ，R
G
=25Ω
（注1,2）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
最大体二极管连续电流
I
S
最大体二极管脉冲电流
I
SM
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
SD
= 15A ，V
GS
=0V
体二极管反向恢复时间
t
rr
I
SD
= 15A ，V
GS
= 0V ，二
F
/dt=100A/µs
（注1 ）
体二极管反向恢复电荷
Q
RR
注：1.脉冲测试：脉冲width≤300μs ;值班Cycle≤2 ％ 。
2.基本上是独立的工作温度典型特征
62
120
154
90
15
60
1.4
333
3.24
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3 6
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