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15N06L-S08-T 参数 Datasheet PDF下载

15N06L-S08-T图片预览
型号: 15N06L-S08-T
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内容描述: 15A , 60V N沟道功率MOSFET [15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 240 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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15N06
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃,除非另有规定)
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
60
V
漏,栅极电压(R
G
=20kΩ)
V
DGR
60
V
栅源电压
V
GSS
±15
V
连续漏电流(T
C
=25°C)
I
D
15
A
漏电流脉冲(注2 )
I
DM
60
A
雪崩电流(注3)
I
AR
15
A
单脉冲(注4 )
E
AS
50
mJ
雪崩能量
重复(注3)
E
AR
12
mJ
40
TO-220
TO-220F
21
功耗
W
P
D
(T
A
=25°C)
TO-252
28
SOP-8
2.0
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注: 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3.脉冲宽度限制T
J(下最大)
,δ<1%
4.起始物为
J
= 25 ° C,I
D
=I
AR
, V
DD
=25V
热数据
参数
的TO-220 / TO -220F
结到环境
TO-252
SOP-8
TO-220
TO-220F
结到外壳
TO-252
SOP-8
符号
θ
JA
评级
62.5
110
125
3.13
5.95
4.53
62.5
单位
° C / W
θ
JC
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
正向跨导(注1 )
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250µA
V
DS
=最大额定值
V
DS
=0V, V
GS
=±15V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 µA
V
DS
& GT ;我
D(上)
×R
DS ( ON)最大值
, V
GS
=10V
V
GS
= 5V ,我
D
=7.5A
V
DS
& GT ;我
D(上)
×R
DS ( ON)最大值
, I
D
=7.5A
60
250
±100
1
15
3
1.7
75
5
700
230
80
2.5
100
典型值
最大单位
V
µA
nA
V
A
mΩ
S
pF
pF
pF
V
DS
=25V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
950
310
110
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 6
QW-R502-260.D