UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
13N50
初步
功率MOSFET
500V N沟道MOSFET
描述
在UTC
13N50
是N沟道增强型功率MOSFET。
该器件采用平面条形,并且使用DMOS技术,以尽量减少
并提供更低的导通状态电阻和更快的开关速度。它可以
也承受雪崩和换向在高能量脉冲
模式的条件。
在UTC
13N50
是理想地适用于高效率开关模式
电源,功率因数校正,电子镇流器基于半
桥拓扑。
1
TO-220
1
TO-220F
特点
* R
DS ( ON)
=0.48Ω
@V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷(典型的43 NC)
*低反向传输电容(C
RSS
= 20pF的典型)
*快速开关能力
*雪崩能量测试
*改进dv / dt能力,高耐用性
1
TO-220F1
符号
订购信息
订购数量
无铅
无卤
13N50L-TA3-T
13N50G-TA3-T
13N50L-TF3-T
13N50G-TF3-T
13N50L- TF1 -T
13N50G-TF1-T
包
TO-220
TO-220F
TO-220F1
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
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1 6
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