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12P10_11 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 12P10_11
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内容描述: 输出高达9.4A , 100V P沟道功率MOSFET [9.4A, 100V P-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 265 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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12P10
绝对最大额定值
(T
c
= 25 ℃ ,除非另有规定)
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
-100
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
连续漏电流
I
D
-9.4
A
漏电流脉冲(注2 )
I
DM
-37.6
A
雪崩电流(注2)
I
AR
-9.4
A
单脉冲雪崩能量(注3 )
E
AS
370
mJ
重复性雪崩能量(注2 )
E
AR
5.0
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt (注4 )
dv / dt的
-6.0
V / ns的
TO- 251 / TO- 252
50
功耗
P
D
W
TO-263
65
结温
T
J
+150
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注: 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度限制T
J(下最大)
3, L = 6.3mH ,我
AS
= -9.4A ,V
DD
= -25V ,R
G
= 25Ω ,起始物为
J
=25°C
4. I
SD
≤-11.5A,
DI / dt≤300μA / S,V
DD
ΔBV
DSS
,起始物为
J
=25°C
热数据
参数
TO- 251 / TO- 252
结到环境
TO-263
TO- 251 / TO- 252
结到外壳
TO-263
符号
θ
JA
θ
JC
评级
110
62.5
2.5
2.31
单位
℃/W
℃/W
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 6
QW-R502-262.B