12P10
参数
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
c
= 25 ℃ ，除非另有规定）
评级
单位
漏源电压
-100
V
栅源电压
±30
V
连续漏电流
-9.4
A
漏电流脉冲（注2 ）
-37.6
A
雪崩电流（注2）
-9.4
A
单脉冲雪崩能量（注3 ）
370
mJ
重复性雪崩能量（注2 ）
5.0
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
-6.0
V / ns的
功耗
T
a
= 25°C
50
W
P
D
0.4
W / ℃，
减免上述25℃
℃
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度限制T
J（下最大）
3， L = 6.3mH ，我
AS
= -9.4A ，V
DD
= -25V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°C
4. I
SD
≤-11.5A,
DI / dt≤300μA / S，V
DD
ΔBV
DSS
，起始物为
J
=25°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
AR
E
AS
E
AR
dv / dt的
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
民
典型值
最大
110
2.5
单位
℃/W
℃/W
电气特性
(T
c
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
切换参数
总栅极电荷
门源电荷
闸漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G
Q
GS
Q
GD
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
=-250µA
I
D
=-250µA,
参考25 ℃下
V
DS
=-100V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250µA
V
GS
= -10V ，我
D
=-4.7A
V
DS
= -40V ，我
D
= -4.7A （注1 ）
民
-100
-0.1
-1
±100
-2.0
0.24
6.3
620
220
65
21
4.6
11.5
15
160
35
60
-4.0
0.29
典型值
最大单位
V
V /°C的
µA
nA
V
Ω
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
DS
=-25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
800
290
85
27
V
DS
= -80V ，我
D
=-11.5A,
V
GS
= -10V （注1,2）
V
DD
= -50V ，我
D
=-11.5A,
R
G
= 25Ω （注1,2）
40
330
80
130
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2 6
QW-R502-262.a
UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
