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    12NN10G-S08-R 参数 Datasheet PDF下载

    12NN10G-S08-R图片预览
    型号： 12NN10G-S08-R
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N沟道增强型功率MOSFET [DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 156 K
    品牌： UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
     浏览型号12NN10G-S08-R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号12NN10G-S08-R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号12NN10G-S08-R的Datasheet PDF文件第4页  
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
    12NN10
    初步
    功率MOSFET
    双N沟道
    增强型功率
    MOSFET
    描述
    在UTC
    12NN10
    是一个双N沟道增强型功率
    MOSFET ，它提供设计师与快速开关速度，坚固耐用
    装置的设计，低导通电阻和成本效益。
    SOP-8
    特点
    *低栅极电荷（典型10NC ）
    * 2.5A ， 100V ， 150mΩ @ V
    GS
    =10V
    *开关速度快
    *简单的驱动要求
    符号
    订购信息
    订购数量
    包
    无铅
    无卤
    1
    12NN10L - S08 -R 12NN10G - S08 -R
    SOP-8
    S1
    注：引脚分配： G：门D：漏极
    S：源
    2
    G1
    引脚分配
    3
    4
    5
    6
    S2 G2 D2 D2
    7
    D1
    8
    D1
    填料
    带盘
    www.unisonic.com.tw
    ©2010 Unisonic技术有限公司
    1 4
    QW-R502-506.a

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