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12N90L-TA3-T 参数 Datasheet PDF下载

12N90L-TA3-T图片预览
型号: 12N90L-TA3-T
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内容描述: 12A , 900V N沟道功率MOSFET [12A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 187 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
12N90
初步
功率MOSFET
12A , 900V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
12N90
是N沟道增强模式功率
MOSFET UTC期运用的先进技术,为客户提供
平面条形和DMOS技术。该技术是专门从事
允许的最小导通电阻和出色的开关
性能。它也可以在雪崩承受高能量脉冲
和减刑模式。
在UTC
12N90
在高效率的开关被普遍应用
模式电源。
1
TO-220
1
TO-220F1
特点
* R
DS ( ON)
= 0.95Ω @V
GS
= 10 V
*高开关速度
* 100 %的雪崩测试
符号
订购信息
订购数量
无铅
无卤
12N90L-TA3-T
12N90G-TA3-T
TO-220
12N90L-TF1-T
12N90G-TF1-T
TO-220F1
注:引脚分配: G:门D:漏极
S:源
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
www.unisonic.com.tw
©2011 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R502-593.b