12N70
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
功率MOSFET
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
700
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
雪崩电流（注1 ）
I
AR
12
A
连续漏电流
I
D
12
A
漏电流脉冲（注1 ）
I
DM
48
A
单脉冲（注2 ）
E
AS
790
mJ
雪崩能量
24
mJ
重复（注1 ）
E
AR
峰值二极管恢复的dv / dt （注3 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
结温
T
J
+150
℃
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
符号
测试条件
最小典型最大单位
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA
700
V
漏极 - 源极漏电流
I
DSS
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
10
μA
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0 V
±100 nA的
击穿电压温度
△
BV
DSS
/△T
J
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
0.7
V/℃
系数
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
2.0
4.0
V
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
= 6.0A
0.55 0.7
Ω
动态特性
输入电容
C
国际空间站
1480 1900 pF的
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V ， F = 1mHz的
输出电容
C
OSS
200 270 pF的
反向传输电容
C
RSS
25
35
pF
开关特性
导通延迟时间
t
D（上）
30
70
ns
V
DD
= 300V ，我
D
= 12A ，R
G
= 25Ω
开启上升时间
t
R
115 240纳秒
（注4,5）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
95 200纳秒
关断下降时间
t
F
85 180纳秒
总栅极电荷
Q
G
42
54
nC
V
DS
= 480V ，我
D
= 12A ，V
GS
= 10 V
栅极 - 源电荷
Q
GS
8.6
nC
（注4,5）
21
nC
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V，I
S
= 12A
1.4
V
最大连续漏源二极管
I
S
12
A
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
48
A
正向电流
反向恢复时间
t
RR
380
ns
V
GS
= 0 V，I
S
= 12A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的（注4 ）
反向恢复电荷
Q
RR
3.5
μC
注： 1 。重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 10MH ，我
AS
= 12A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
如图12A所示， di / dt的
≤200A/s,
V
DD
ΔBV
DSS
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤300μs,
占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度。
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2 6
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