12N70
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C，除非另有规定编）
参数
符号
V
DSS
V
GSS
I
AR
I
D
I
DM
E
AS
E
AR
dv / dt的
功率MOSFET
评级
单位
漏源电压
700
V
栅源电压
±30
V
雪崩电流（注2）
12
A
连续
12
A
漏电流
脉冲（注2）
48
A
单脉冲（注3 ）
790
mJ
雪崩能量
24
mJ
重复的（注2）
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
4.5
V / ns的
TO-220
225
° C / W
功耗
P
D
TO-220F/TO-220F1
51
° C / W
结温
T
J
+150
°C
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 10MH ，我
AS
= 12A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
≤
如图12A所示， di / dt的
≤200A/s,
V
DD
ΔBV
DSS
起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
结到环境
结到外壳
TO-220
TO-220F/TO-220F1
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
符号
θ
JA
θ
JC
等级
62.5
0.56
2.43
单位
° C / W
° C / W
° C / W
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
击穿电压温度
系数
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA
V
DS
= 700 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0 V
最小典型最大单位
700
10
±100
0.7
2.0
0.87
4.0
1.0
V
μA
nA
V /°C的
V
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
△
BV
DSS
/△T
J
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 6.0A
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V ， F = 1mHz的
1480 1900
200 270
25
35
30
115
95
85
42
8.6
21
70
240
200
180
54
V
DD
= 300V ，我
D
= 12A ，R
G
= 25Ω
（注1,2）
V
DS
= 480V ，我
D
= 12A ，V
GS
= 10 V
（注1,2）
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2 6
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