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    12N70G-TA3-T 参数 Datasheet PDF下载

    12N70G-TA3-T图片预览
    型号： 12N70G-TA3-T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 12安培， 700伏特N沟道MOSFET [12 Amps, 700 Volts N-CHANNEL MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 6 页 / 221 K
    品牌： UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
     浏览型号12N70G-TA3-T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号12N70G-TA3-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号12N70G-TA3-T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号12N70G-TA3-T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号12N70G-TA3-T的Datasheet PDF文件第6页  
    12N70
    电气特性（续）
    参数
    符号
    测试条件
    源 - 漏二极管额定值和特性
    漏源二极管的正向电压
    V
    SD
    V
    GS
    = 0 V，I
    S
    = 12A
    最大连续漏源二极管
    I
    S
    正向电流
    最大脉冲漏源极二极管
    I
    SM
    正向电流
    反向恢复时间
    t
    RR
    V
    GS
    = 0 V，I
    S
    = 12A,
    dI
    F
    / DT = 100 A / μs的（注1 ）
    反向恢复电荷
    Q
    RR
    注：1.脉冲测试：脉冲宽度
    ≤300μs,
    占空比
    ≤
    2%
    2.基本上是独立的工作温度。
    功率MOSFET
    最小典型最大单位
    1.4
    12
    48
    380
    3.5
    V
    A
    A
    ns
    μC
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
    www.unisonic.com.tw
    3 6
    QW-R502-220.C

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