12N65G-T2Q-T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	12N65G-T2Q-T
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内容描述：	12A ， 650V N沟道功率MOSFET [12A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 369 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

12N65

电气特性

= 25 ℃，除非另有规定）

功率MOSFET

参数

符号

测试条件

最小典型最大单位

开关特性

漏源击穿电压

DSS

= 0 V，I

= 250 µA

650

漏极 - 源极漏电流

DSS

= 650 V, V

= 0 V

µA

栅极 - 源极漏电流

GSS

= ±30 V, V

= 0 V

±100 nA的

击穿电压温度系数

△

DSS

/△T

= 250μA ，引用至25℃

0.7

V /°C的

基本特征

栅极阈值电压

GS （ TH）

= V

, I

= 250μA

2.0

4.0

静态漏源导通电阻

DS （ ON）

= 10V ，我

= 6.0A

0.65 0.85

Ω

动态特性

1480 1900 pF的

输入电容

国际空间站

= 25 V, V

= 0 V,

输出电容

OSS

200 270 pF的

F = 1MHz的

反向传输电容

RSS

开关特性

导通延迟时间

D（上）

开启上升时间

115 240

= 325V ，我

= 12A,

= 25Ω （注1,2）

打开-O FF延迟时间

D（关闭）

95 200

关断下降时间

85 180

总栅极电荷

= 520V ，我

= 12A,

栅极 - 源电荷

8.6

= 10V （注1,2）

栅极 - 漏极电荷

源 - 漏二极管额定值和特性

漏源二极管的正向电压

= 0 V，I

= 12A

1.4

最大连续漏源二极管

正向电流

最大脉冲漏源极二极管

正向电流

反向恢复时间

= 0 V，I

= 12A,

380

/ DT = 100 A / μs的（注1 ）

反向恢复电荷

3.5

µC

注：1.脉冲测试：脉冲宽度

≤300μs,

占空比

≤

2.基本上是独立的工作温度。

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

www.unisonic.com.tw

3 7

QW-R502-583.B

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