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12N65L-TF1-T 参数 Datasheet PDF下载

12N65L-TF1-T图片预览
型号: 12N65L-TF1-T
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内容描述: 12A , 650V N沟道功率MOSFET [12A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 369 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
12N65
12A , 650V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
12N65
是N沟道增强型功率
场效应晶体管( MOSFET),这是通过使用产生
UTC专有的,平面条形和DMOS技术。
这些器件适用于高效率开关模式
电源。为了最大限度地减少通态电阻,提供出色的
开关性能和承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式,先进的技术有
而特别定制的。
1
TO-220F
功率MOSFET
1
TO-220
1
TO-220F1
特点
* R
DS ( ON)
= 0.85Ω @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷(典型的42 NC)
*低反向传输电容(C
RSS
=典型25 pF的)
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力,高耐用性
1
TO-262
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
12N65L-TA3-T
12N65G-TA3-T
12N65L-TF1-T
12N65G-TF1-T
12N65L-TF3-T
12N65G-TF3-T
12N65L-T2Q-T
12N65G-T2Q-T
注:引脚分配: G:门D:漏极S:源
TO-220
TO-220F1
TO-220F
TO-262
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
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1 7
QW-R502-583.B