UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
12N60
12A ， 600V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
12N60
是N沟道增强型功率
场效应晶体管（ MOSFET），它使用的是产生的UTC的
专有的，平面条形， DMOS技术。
这些器件适用于高效率开关模式
电源。为了最大限度地减少通态电阻，提供出色的
开关性能，并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式，先进的技术有
而特别定制的。
1
TO-220F
功率MOSFET
1
TO-220
1
TO-220F1
特点
* R
DS （ ON）
= 0.8Ω @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷（典型的42 NC）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型25 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
1
TO-262
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
包
无铅
无卤
12N60L-TA3-T
12N60G-TA3-T
TO-220
12N60L-TF1-T
12N60G-TF1-T
TO-220F1
12N60L-TF3-T
12N60G-TF3-T
TO-220F
12N60L-T2Q-T
12N60G-T2Q-T
TO-262
注：引脚分配： G：门
D：漏
S：源
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
管
www.unisonic.com.tw
版权所有© 2012 Unisonic技术有限公司
1 7
QW-R502-170.I
UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
