12N60
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C，除非另有规定编）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
600
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
雪崩电流（注2）
I
AR
12
A
12
A
连续
I
D
漏电流
脉冲（注2）
I
DM
48
A
790
mJ
单脉冲（注3 ）
E
AS
雪崩能量
重复的（注2）
E
AR
24
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
的TO-220 / TO- 262
225
W
功耗
P
D
TO- 220F / TO- 220F1
51
W
结温
T
J
+150
°C
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 10MH ，我
AS
= 12A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
≤
如图12A所示， di / dt的
≤200A/s,
V
DD
ΔBV
DSS
起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
结到环境
的TO-220 / TO- 262
结到外壳
TO-220F/TO-220F1
符号
θ
JA
θ
JC
等级
62.5
0.56
2.43
单位
° C / W
° C / W
° C / W
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
符号
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
漏极 - 源极漏电流
I
DSS
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
击穿电压温度系数
△
BV
DSS
/△T
J
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
动态特性
输入电容
C
国际空间站
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
栅极电阻
R
G
测试条件
最小典型最大单位
V
1
µA
±100 nA的
0.7
V /°C的
4.0
0.8
V
Ω
pF
pF
pF
Ω
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 µA
600
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0 V
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 6.0A
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1MHz的
V
DS
=0V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
2.0
0.6
1480 1900
200 270
25
35
0.2
1.2
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 7
QW-R502-170.I
UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
