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12N60L-X-TF3-T 参数 Datasheet PDF下载

12N60L-X-TF3-T图片预览

型号：	12N60L-X-TF3-T
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内容描述：	12安培， 600/650伏特N沟道MOSFET [12 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 358 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

12N60

12安培， 600/650伏特

N沟道MOSFET

描述

在UTC

12N60

是N沟道增强型功率

场效应晶体管（ MOSFET），它使用的是产生的UTC的

专有的，平面条形， DMOS技术。

这些器件适用于高效率开关模式

电源。为了最大限度地减少通态电阻，提供出色的

开关性能，并能承受高能量脉冲

雪崩和减刑模式，先进的技术有

而特别定制的。

功率MOSFET

特点

* R

DS （ ON）

= 0.8Ω @V

GS

= 10 V

*超低栅极电荷（典型的42 NC）

*低反向传输电容（C

RSS

=典型25 pF的）

*快速开关能力

*较高的雪崩能量

*改进dv / dt能力，高耐用性

无铅：

12N60L

无卤： 12N60G

符号

2.Drain

1.Gate

3.Source

订购信息

订购数量

无铅

无卤

12N60L-x-TA3-T

12N60G-x-TA3-T

12N60L-x-TF1-T

12N60G-x-TF1-T

12N60L-x-TF3-T

12N60G-x-TF3-T

注：引脚分配： G：门D：漏极S：源

包

TO-220

TO-220F1

TO-220F

引脚分配

1

2

3

G

D

S

G

D

S

G

D

S

填料

管

管

管

www.unisonic.com.tw

©2010 Unisonic技术有限公司

1 7

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