12N10 参数 Datasheet PDF下载

型号：	12N10
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内容描述：	12A ， 100V N沟道功率MOSFET [12A, 100V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 194 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

12N10

初步

功率MOSFET

电气特性（续）

参数

符号

测试条件

切换参数

（注1,2 ）

总栅极电荷

=10V, V

= 80V ，我

=12A

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

D（上）

上升时间

= 30V ，我

= 1A ，R

=9.1Ω,

= 10V （图1）的

打开-O FF延迟时间

D（关闭）

下降时间

源 - 漏二极管额定值和特性

最大体二极管连续电流

最大体二极管脉冲电流

漏源二极管的正向电压

= 12A ，V

=0V

（注1 ）

注：1。脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％

2.基本上是独立工作温度

最小典型最大单位

7.5

2.5

3.0

1.2

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

www.unisonic.com.tw

3 5

QW-R502-737.a

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