12N06L-TN3-R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	12N06L-TN3-R
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内容描述：	12安培， 60伏特N沟道功率MOSFET [12 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 190 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

12N06

参数

漏源电压（V

=0)

漏，栅极电压（R

=20KΩ))

栅源电压

初步

符号

DSS

DGR

GSS

功率MOSFET

绝对最大额定值

= 25 ° C，除非另有规定编）

评级

单位

±20

= 25°C

连续

漏电流

= 100°C

8.5

脉冲（注2）

功耗

降额因子

0.2

W / ℃，

峰值二极管恢复的dv / dt （注3 ）

dv / dt的

V / ns的

雪崩能量（注4 ）

100

结温

+150

°C

储存温度

英镑

-55~+150

°C

注： 1绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。

绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。

2.脉冲宽度有限的安全工作区

3. I

≤

如图12A所示， di / dt的

≤

200A / μs的，V

≤

40V ，T

≤

JMAX

4.起始物为

= 25 ° C，I

= 6A ，V

= 30V

热特性

参数

结到环境

结到外壳

符号

评级

100

单位

° C / W

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

www.unisonic.com.tw

2 5

QW-R502-561.a

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