11N50
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C，除非另有规定编）
评级
单位
500
V
±30
V
T
C
=25°C
11 （注2）
A
I
D
连续漏电流
T
C
=100°C
7 （注2 ）
A
漏电流脉冲（注3 ）
I
DM
44 （注2）
A
单脉冲雪崩能量（注4 ）
E
AS
670
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注5 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
TO-220
195
T
C
=25°C
TO-220F1
48
W
TO-220F
147
P
D
功耗
TO-220
1.56
减免上述
TO-220F1
0.39
W / ℃，
25°C
TO-220F
1.18
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.漏电流受最高结温
3.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
4， L = 10MH ，我
AS
= 11A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°C
5. I
SD
≤11A,
的di / dt
≤200A/μs,
V
DD
ΔBV
DSS
，起始物为
J
=25°C
符号
V
DSS
V
GSS
热数据
参数
结到环境
TO-220
结到外壳
TO-220F1
TO-220F
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62.5
0.64
2.58
0.85
单位
° C / W
° C / W
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2 6
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UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
