11N40
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃ ,除非另有规定)
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
400
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
连续漏电流(T
C
= 25℃)
I
D
11.4
A
漏电流脉冲(注2 )
I
DM
46
A
雪崩电流(注2)
I
AR
11.4
A
单脉冲(注3 )
E
AS
520
mJ
雪崩能量
14.7
重复的(注2)
E
AR
峰值二极管恢复的dv / dt (注4 )
dv / dt的
4.5
V / ns的
功耗
147
W
P
D
减免上述25 °
1.18
W/℃
结温
T
J
150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注:1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价:脉冲宽度有限的最高结温。
3. L = 7MH ,我
AS
= 11.4A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25Ω , Satarting牛逼
J
=25°C.
4. I
SD
≤
11.4A , di / dt的
≤
200A / μs的,V
DD
ΔBV
DSS
, Satarting牛逼
J
=25°C.
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62.5
0.85
单位
℃/W
℃/W
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 6
QW-R502-219.D