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11N40G-TF3-T 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 11N40G-TF3-T
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内容描述: 11.4A , 400V N沟道功率MOSFET [11.4A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 6 页 / 240 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
11N40
11.4A , 400V N沟道
功率MOSFET
描述
11N40
UTC采用先进的专有的,平面条形,
DMOS技术,提供优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷
和操作上与低栅极电压。此装置适用于
使用作为负载开关或PWM应用。
功率MOSFET
特点
* R
DS ( ON)
= 0.52Ω @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷(典型的27 NC)
*低反向传输电容(C
RSS
=典型20 pF的)
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力,高耐用性
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
11N40L-TA3-T
11N40G-TA3-T
TO-220
11N40L-TF3-T
11N40G-TF3-T
TO-220F
注:引脚分配: G:门D:漏极
S:源
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
www.unisonic.com.tw
©2011 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-219.D