11N40L-TA3-T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	11N40L-TA3-T
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内容描述：	11.4A ， 400V N沟道功率MOSFET [11.4A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 240 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

11N40

电气特性

= 25 ℃ ，除非另有规定）

参数

开关特性

漏源击穿电压

符号

DSS

测试条件

功率MOSFET

民

400

典型最大单位

±100

0.42

µA

毫伏/ ℃

Ω

= 0 V，I

=250 µA

=400V, V

=0 V

零栅极电压漏极电流

DSS

= 320V ，T

=125°C

门体漏电流

GSS

=0 V, V

= ±30 V

击穿电压温度

系数

ΔBV

DSS

/ΔT

= 250 μA ，引用to25 ℃，

基本特征

栅极阈值电压

GS （ TH）

, I

=250 µA

静态漏源导通电阻

DS （ ON）

= 10 V，I

= 5.7 A

动力参数

输入电容

国际空间站

=25V, V

= 0V ， F = 1MHz的

输出电容

OSS

反向传输电容

RSS

切换参数

导通延迟时间

D（上）

= 200V ，我

=11.4A,

开启上升时间

根

= 25Ω （注1,2）

打开-O FF延迟时间

D（关闭）

关断下降时间

总栅极电荷

=320V, V

=10V,

门源电荷

= 11.4A （注1,2）

闸漏极电荷

源 - 漏二极管额定值和特性

漏源二极管的正向电压

= 11.4 A，V

=0V

最大连续漏源

二极管的正向电流

最大脉冲漏源极二极管

正向电流

反向恢复时间

= 0V ，二

/ DT = 100 A / S，

= 11.4A （注1 ）

反向恢复电荷

注：1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300秒，占空比

≤

2%.

2，独立工作温度。

2.0

4.0

0.42 0.52

1100 1400

180 240

100

7.3

12.3

210

130

1.5

11.4

240

1.8

µC

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

www.unisonic.com.tw

3 6

QW-R502-219.D

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