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10N90L-TF1-T 参数 Datasheet PDF下载

10N90L-TF1-T图片预览

型号：	10N90L-TF1-T
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内容描述：	10安培， 900伏特N沟道功率MOSFET [10 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 189 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

10N90

初步

功率MOSFET

10安培， 900伏

N沟道功率MOSFET

描述

该UTC10N90是采用N沟道模式功率场效应管UTC的

先进的技术，提供的costumers与平面条形和

DMOS技术。该技术允许的最小导通状态

电阻和出色的开关性能。它也能承受

在高能量脉冲雪崩和减刑模式。

在UTC

10N90

一般适用于高效率开关

模式电源。

1

TO-220

1

TO-220F1

特点

*低漏电流： 25μA （最大值） @ V

DS

= 900V

*改进的栅极电荷

符号

2.Drain

1.Gate

3.Source

订购信息

订购数量

无铅

无卤

10N90L-TA3-T

10N90G-TA3-T

10N90L-TF1-T

10N90G-TF1-T

注：引脚分配： G：门D：漏极

包

TO-220

TO-220F1

S：源

引脚分配

1

2

3

G

D

S

G

D

S

填料

管

管

www.unisonic.com.tw

©2010 Unisonic技术有限公司

1 6

QW-R502-502.a

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