10N90L-TA3-T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	10N90L-TA3-T
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内容描述：	10安培， 900伏特N沟道功率MOSFET [10 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 189 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

10N90

初步

功率MOSFET

电气特性

= 25 ℃，除非另有规定）

参数

符号

测试条件

最小值典型值

开关特性

漏源击穿电压

DSS

= 250μA ，V

=0V

900

击穿电压温度

△

DSS

△

=250µ

1.11

系数

漏极 - 源极漏电流

DSS

=900V

前锋

=+30V

栅源漏电流

GSS

反向

=-30V

基本特征

栅极阈值电压

GS （ TH）

= 5V ，我

=250µA

2.0

静态漏源导通电阻

DS （ ON）

= 10V ，我

=5A

正向跨导

= 50V ，我

= 5A （注4 ）

7.85

动力参数

输入电容

国际空间站

2760

=0V, V

= 25V ， F = 1.0MHz的

输出电容

OSS

245

105

反向传输电容

RSS

切换参数

总栅极电荷

127

=10V, V

= 720V ，我

=10A

门源费

19.2

（注4,5）

56.8

栅漏电荷

导通延迟时间

D（上）

上升时间

= 450V ，我

= 10A ，R

=9.6Ω

（注4,5）

打开-O FF延迟时间

D（关闭）

161

下降时间

源 - 漏二极管额定值和特性

最大体二极管连续电流

积分反向PN二极管的

最大体二极管脉冲电流

MOSFET

(Note1)

漏源二极管的正向电压

= 10A ，V

= 0V ，T

=25°C

（注4 ）

= 10A ，二

/ DT = 100A / μs的，T

=25°C

体二极管反向恢复时间

690

（注4 ）

体二极管反向恢复电荷

11.94

注： 1，重复评级：脉冲宽度有限的最高结温

2， L = 15MH ，我

= 10A ，V

= 50V ，R

= 27Ω ，起始物为

= 25°C

3. I

≤

图10A中， di / dt的

≤

190A / μs的，V

≤

DSS

，起始物为

= 25°C

4.脉冲测试：脉冲宽度

≤

为250μs ，占空比

≤

5.基本上是独立工作温度

最大单位

V /°C的

100

-100

3.5

1.2

µA

Ω

µC

3580

290

125

165

330

105

1.4

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

www.unisonic.com.tw

3 6

QW-R502-502.a

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