10N80
典型特征
漏极电流与源极到漏极电压
10
8
漏电流,我
D
(A)
漏电流,我
D
(A)
6
5
4
3
功率MOSFET
漏极 - 源极导通状态
阻力特性
V
GS
=10V,
I
D
=5A
4
2
0
0
2
1
0
200
400
600
800
1000
0
1
2
3
4
5
源极到漏极电压,V
SD
(毫伏)
漏极电流与栅极阈值电压
3
2.5
漏电流,我
D
(MA )
漏电流,我
D
(µA)
2
1.5
1
0.5
0
400
350
300
250
200
150
100
50
0
1
2
3
栅极阈值电压,V
TH
(V)
4
0
0
漏源极电压,V
DS
(V)
漏极电流与漏源
击穿电压
600
800
1000
漏源击穿电压BV
DSS
(V)
200
400
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