UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
10N75
初步
功率MOSFET
10A , 750V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
10N75
是使用N沟道型功率MOSFET的
UTC先进的技术,提供costomers与平面条形
和DMOS技术。这项技术专门允许
最低通态电阻和出色的开关性能。它
还可以在雪崩承受高能量脉冲和
换流模式。
在UTC
10N75
在高效率的开关被普遍应用
式电源供应器,有源功率校正派电子灯
基于半桥拓扑。
1
TO-220
1
TO-220F
1
TO-220F1
特点
* R
DS ( ON)
=1.3Ω @V
GS
=10V
*高开关速度
*改进dv / dt能力
* 100 %的雪崩测试
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
10N75L-TA3-T
10N75G-TA3-T
10N75L-TF3-T
10N75G-TF3-T
10N75L-TF1-T
10N75G-TF1-T
注:引脚分配: G:门D:漏极
包
TO-220
TO-220F
TO-220F1
S:源
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
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1 6
QW-R502-501.b