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    10N65 参数 Datasheet PDF下载

    10N65图片预览
    型号： 10N65
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 10A ， 650V N沟道功率MOSFET [10A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 336 K
    品牌： UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
     浏览型号10N65的Datasheet PDF文件第1页浏览型号10N65的Datasheet PDF文件第2页浏览型号10N65的Datasheet PDF文件第4页浏览型号10N65的Datasheet PDF文件第5页浏览型号10N65的Datasheet PDF文件第6页浏览型号10N65的Datasheet PDF文件第7页浏览型号10N65的Datasheet PDF文件第8页  
    10N65
    电气特性
    ( T
    C
    = 25 ℃，除非另有规定）
    参数
    开关特性
    漏源击穿电压
    漏极 - 源极漏电流
    符号
    BV
    DSS
    I
    DSS
    测试条件
    功率MOSFET
    最小典型最大单位
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250μA
    650
    V
    V
    DS
    = 650V, V
    GS
    = 0V
    1
    µA
    100 nA的
    前锋
    V
    GS
    = 30 V, V
    DS
    = 0 V
    栅极 - 源极漏电流
    I
    GSS
    反向
    V
    GS
    = -30 V, V
    DS
    = 0 V
    -100 nA的
    击穿电压温度系数
    ΔBV
    DSS
    /ΔT
    J
    I
    D
    = 250μA ，引用至25℃
    0.7
    V /°C的
    基本特征
    栅极阈值电压
    V
    GS （ TH）
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250μA
    2.0
    4.0
    V
    静态漏源导通电阻
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 4.75A
    0.72 0.86
    Ω
    动态特性
    1570 2040 pF的
    输入电容
    C
    国际空间站
    输出电容
    C
    OSS
    166 215 pF的
    V
    DS
    =25V, V
    GS
    = 0V ， F = 1.0 MHz的
    反向传输电容
    C
    RSS
    18
    24
    pF
    开关特性
    导通延迟时间
    t
    D（上）
    23
    55
    ns
    开启上升时间
    t
    R
    69 150纳秒
    V
    DD
    = 325V ，我
    D
    = 10A ，R
    G
    =25Ω
    （注1,2）
    打开-O FF延迟时间
    t
    D（关闭）
    144 300纳秒
    关断下降时间
    t
    F
    77 165纳秒
    总栅极电荷
    Q
    G
    44
    57
    nC
    V
    DS
    = 520V ，我
    D
    = 10A ，V
    GS
    =10 V
    栅极 - 源电荷
    Q
    GS
    6.7
    nC
    （注1,2）
    栅极 - 漏极电荷
    Q
    GD
    18.5
    nC
    漏源二极管的特性和最大额定值
    漏源二极管的正向电压
    V
    SD
    V
    GS
    = 0 V，I
    S
    =10A
    1.4
    V
    最大连续漏源二极管
    I
    S
    10
    A
    正向电流
    最大脉冲漏源极二极管
    I
    SM
    38
    A
    正向电流
    420
    ns
    反向恢复时间
    t
    rr
    V
    GS
    = 0 V，I
    S
    = 10A,
    dI
    F
    / DT = 100 A / μs的（注1 ）
    反向恢复电荷
    Q
    RR
    4.2
    µC
    注：1.脉冲测试：脉冲宽度
    ≤300µs,
    占空比
    ≤2%
    2.基本上是独立工作温度
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
    www.unisonic.com.tw
    3 8
    QW-R502-588.C

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