10N60G-TF2-T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	10N60G-TF2-T
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	10A ， 600V N沟道功率MOSFET [10A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 393 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

10N60

电气特性（续）

参数

符号

测试条件

开关特性

导通延迟时间

D（上）

开启上升时间

= 300V ，我

=10A,

= 25Ω （注1,2）

打开-O FF延迟时间

D（关闭）

关断下降时间

总栅极电荷

= 480V ，我

=10A,

栅极 - 源电荷

= 10V （注1,2）

栅极 - 漏极电荷

漏源二极管的特性和最大额定值

漏源二极管的正向电压

= 0 V，I

=10A

最大连续漏源二极管

正向电流

最大脉冲漏源极二极管

正向电流

反向恢复时间

= 0 V，I

= 10A,

/ DT = 100 A / μs的（注1 ）

反向恢复电荷

注：1.脉冲测试：脉冲宽度

≤300µs,

占空比

≤2%

2.基本上是独立工作温度

功率MOSFET

最小典型最大单位

69 150

144 300

77 165

6.7

18.5

1.4

420

4.2

µC

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

www.unisonic.com.tw

3 8

QW-R502-119.J

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案