UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
10N60
10A , 600V N沟道
功率MOSFET
1
功率MOSFET
TO-220
描述
该
UTC 10N60
是高电压和高电流的功率MOSFET,
设计成具有更好的特性,如快速切换时间,低
栅极电荷,低通态电阻,并具有高耐用雪崩
的特点。这个功率MOSFET通常用在高速
开关电源中的应用, PWM马达控制,高
高效率的DC -DC转换器和电桥电路。
1
TO-220F
特点
* R
DS ( ON)
= 0.8Ω@V
GS
=10V
*低栅极电荷(典型值44nC )
*低C
RSS
(典型18 pF的)
*快速切换
* 100 %的雪崩测试
*改进dv / dt能力
1
TO-220F1
1
TO-220F2
符号
2.Drain
1
TO-263
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
包
无铅
无卤
10N60L-TA3-T
10N60G-TA3-T
TO-220
10N60L-TF1-T
10N60G-TF1-T
TO-220F1
10N60L-TF2-T
10N60G-TF2-T
TO-220F2
10N60L-TF3-T
10N60G-TF3-T
TO-220F
10N60L-TQ2-R
10N60G-TQ2-R
TO-263
10N60L-TQ2-T
10N60G-TQ2-T
TO-263
注:引脚分配: G:门
D:漏
S:源
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
管
带盘
管
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QW-R502-119.J