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    10N60L-B-TA3-T 参数 Datasheet PDF下载

    10N60L-B-TA3-T图片预览
    型号： 10N60L-B-TA3-T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 10安培， 600/650伏特N沟道功率MOSFET [10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 233 K
    品牌： UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
     浏览型号10N60L-B-TA3-T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号10N60L-B-TA3-T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号10N60L-B-TA3-T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号10N60L-B-TA3-T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号10N60L-B-TA3-T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号10N60L-B-TA3-T的Datasheet PDF文件第7页浏览型号10N60L-B-TA3-T的Datasheet PDF文件第8页浏览型号10N60L-B-TA3-T的Datasheet PDF文件第9页  
    10N60
    绝对最大额定值
    (T
    C
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    雪崩电流
    连续漏电流
    漏电流脉冲（注1 ）
    单脉冲（注2 ）
    重复（注1 ）
    峰值二极管恢复的dv / dt （注3 ）
    功耗
    结温
    工作温度
    储存温度
    雪崩能量
    10N60-A
    10N60-B
    （注1 ）
    T
    C
    = 25°C
    T
    C
    = 100°C
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    AR
    I
    D
    I
    DM
    E
    AS
    E
    AR
    dv / dt的
    P
    D
    T
    J
    T
    OPR
    T
    英镑
    功率MOSFET
    评级
    600
    650
    ± 30
    9.5
    9.5
    3.3
    38
    700
    15.6
    4.5
    156
    +150
    -55 ~ +150
    -55 ~ +150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    mJ
    mJ
    V / ns的
    W
    ℃
    ℃
    ℃
    热数据
    参数
    结到环境
    结到外壳
    符号
    θ
    JA
    θ
    JC
    等级
    62.5
    0.8
    单位
    ° C / W
    ° C / W
    电气特性
    ( T
    C
    = 25 ℃，除非另有规定）
    参数
    开关特性
    漏源击穿电压
    10N60-A
    10N60-B
    符号
    BV
    DSS
    BV
    DSS
    I
    DSS
    测试条件
    最小典型最大单位
    V
    V
    µA
    nA
    nA
    V /°C的
    V
    Ω
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250µA
    600
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250µA
    650
    漏极 - 源极漏电流
    V
    DS
    = 600V, V
    GS
    = 0V
    1
    前锋
    V
    GS
    = 30 V, V
    DS
    = 0 V
    100
    栅极 - 源极漏电流
    I
    GSS
    -100
    反向
    V
    GS
    = -30 V, V
    DS
    = 0 V
    击穿电压温度系数
    ΔBV
    DSS
    /∆T
    J
    I
    D
    = 250μA ，引用至25℃
    0.7
    基本特征
    栅极阈值电压
    V
    GS （ TH）
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250µA
    2.0
    4.0
    静态漏源导通电阻
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 4.75A
    0.6 0.73
    动态特性
    输入电容
    C
    国际空间站
    1570 2040
    V
    DS
    =25V, V
    GS
    = 0V ， F = 1.0 MHz的
    输出电容
    C
    OSS
    166 215
    反向传输电容
    C
    RSS
    18
    24
    开关特性
    导通延迟时间
    t
    D（上）
    23
    55
    开启上升时间
    t
    R
    V
    DD
    = 300V ，我
    D
    = 10A ，R
    G
    =25Ω
    69
    150
    （注4,5）
    打开-O FF延迟时间
    t
    D（关闭）
    144 300
    关断下降时间
    t
    F
    77
    165
    总栅极电荷
    Q
    G
    44
    57
    V
    DS
    = 480V ，我
    D
    = 10A ，V
    GS
    =10 V
    栅极 - 源电荷
    Q
    GS
    6.7
    （注4,5）
    18.5
    栅极 - 漏极电荷
    Q
    GD
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
    www.unisonic.com.tw
    2 9
    QW-R502-119.A

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