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    10N60-B-TA3-T 参数 Datasheet PDF下载

    10N60-B-TA3-T图片预览
    型号： 10N60-B-TA3-T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 10安培， 600/650伏特N沟道功率MOSFET [10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 233 K
    品牌： UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
     浏览型号10N60-B-TA3-T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号10N60-B-TA3-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号10N60-B-TA3-T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号10N60-B-TA3-T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号10N60-B-TA3-T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号10N60-B-TA3-T的Datasheet PDF文件第7页浏览型号10N60-B-TA3-T的Datasheet PDF文件第8页浏览型号10N60-B-TA3-T的Datasheet PDF文件第9页  
    10N60
    电气特性（续）
    参数
    符号
    测试条件
    漏源二极管的特性和最大额定值
    漏源二极管的正向电压
    V
    SD
    V
    GS
    = 0 V，I
    S
    =10A
    最大连续漏源二极管
    I
    S
    正向电流
    最大脉冲漏源极二极管
    I
    SM
    正向电流
    反向恢复时间
    t
    RR
    V
    GS
    = 0 V，I
    S
    = 10A,
    dI
    F
    / DT = 100 A / μs的（注4 ）
    反向恢复电荷
    Q
    RR
    注： 1，重复评级：脉冲宽度有限的最高结温
    2， L = 14.2mH ，我
    AS
    = 10A ，V
    DD
    = 50V ，R
    G
    = 25
    Ω
    起始物为
    J
    = 25°C
    3. I
    SD
    ≤
    9.5A ， di / dt的
    ≤200A/µs,
    V
    DD
    ΔBV
    DSS
    ，起始物为
    J
    = 25°C
    4.脉冲测试：脉冲宽度
    ≤300µs,
    占空比
    ≤2%
    5.基本上是独立工作温度
    功率MOSFET
    民
    典型最大单位
    1.4
    10
    38
    420
    4.2
    V
    A
    A
    ns
    µC
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
    www.unisonic.com.tw
    3 9
    QW-R502-119.A

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