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10N60L-X-TQ2-T 参数 Datasheet PDF下载

10N60L-X-TQ2-T图片预览
型号: 10N60L-X-TQ2-T
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内容描述: 10安培, 600/650伏特N沟道功率MOSFET [10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 330 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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10N60
典型特征(续)
功率MOSFET
漏源击穿电压,
BV
DSS
(归一化)
最大安全工作区
10
2
在这一领域是由R美
DM
10μs
漏电流,我
D
(A)
10
1
DC
1ms
10ms
100ms
漏电流,我
D
(A)
10
3
100μs
10
0
注意事项:
1.T
C
=25℃
2.T
J
=150℃
3.单脉冲
10
-1 0
10
10
2
10
1
漏极 - 源极电压V
DS
(V)
漏源导通电阻,R
DS ( ON)
(归一化)
最大漏极电流与外壳温度
10
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
外壳温度,T
C
(℃)
150
瞬态热响应曲线
10
0
D=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
注意事项:
1.ZθJC ( T) = 2.5D / W最大
2.Duty因子D = T1 / T2
3.T
JW
-T
C
=P
DW
-Z
θ
JC
(t)
P
DW
t
1
t
2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间,T
1
(秒)
10
0
10
1
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
第7 8
QW-R502-119.E