欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

10N50G-TA3-T 参数 Datasheet PDF下载

10N50G-TA3-T图片预览
型号: 10N50G-TA3-T
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 10A , 500V N沟道功率MOSFET [10A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 174 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
 浏览型号10N50G-TA3-T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号10N50G-TA3-T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号10N50G-TA3-T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号10N50G-TA3-T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号10N50G-TA3-T的Datasheet PDF文件第6页  
10N50
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
500
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
连续(T
C
=25°C)
I
D
10 (注2)
A
漏电流
40 (注2)
A
脉冲(注3)
I
DM
雪崩电流(注3)
I
AR
10
A
单脉冲(注4 )
E
AS
388
mJ
雪崩能量
14.3
mJ
重复(注5 )
E
AR
峰值二极管恢复的dv / dt (注5 )
dv / dt的
4.5
V / ns的
TO-220
143
功耗
W
TO-220F1
48
P
D
TO-220
1.14
W / ℃,
减免上述25℃
TO-220F1
0.38
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55~+150
°C
注: 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.漏电流受最高结温
3.重复额定值:脉冲宽度有限的最高结温
4, L = 7MH ,我
AS
= 10A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25Ω ,起始物为
J
= 25°C
5. I
SD
图10A中, di / dt的
200A / μs的,V
DD
BV
DSS
,起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
结到环境
结到外壳
TO-220
TO-220F1
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62.5
0.87
2.58
单位
° C / W
° C / W
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 6
QW-R502-531.c