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    50N06L-TA3-T 参数 Datasheet PDF下载

    50N06L-TA3-T图片预览
    型号： 50N06L-TA3-T
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    内容描述： 50安培， 60伏特N沟道功率MOSFET [50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 8 页 / 326 K
    品牌： UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
     浏览型号50N06L-TA3-T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号50N06L-TA3-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号50N06L-TA3-T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号50N06L-TA3-T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号50N06L-TA3-T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号50N06L-TA3-T的Datasheet PDF文件第7页浏览型号50N06L-TA3-T的Datasheet PDF文件第8页  
    50N06
    TYPICAL CHARACTERISTICS
    Power MOSFET
    Drain Current, I
    D
    (A)
    Drain Current, I
    D
    (A)
    2.5
    2.0
    1.5
    1.0
    0.5
    On-Resistance Variation vs.
    Drain Current and Gate Voltage
    10
    2
    On State Current vs.
    Allowable Case Temperature
    150°C
    V
    GS
    =10V
    V
    GS
    =20V
    10
    1
    25°C
    0.0
    0 20 40 60 80 100 120 140160180 200
    Drain Current, I
    D
    (A)
    10
    0
    0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
    Source-Drain Voltage, V
    SD
    (V)
    *Note:
    1. V
    GS
    =0V
    2. 250µs Test
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
    www.unisonic.com.tw
    6 of 8
    QW-R502-088.E

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