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4N60 参数 Datasheet PDF下载

4N60图片预览
型号: 4N60
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内容描述: 4A , 600V N沟道功率MOSFET [4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 371 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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4N60
TYPICAL CHARACTERISTICS(Cont.)
Power MOSFET
Capacitance Characteristics
(Non-Repetitive)
1200
1000
800
600
400
200
0
0.1
C
rss
1
10
C
oss
C
iss=
C
gs
+C
gd
(C
ds
=shorted)
C
oss
=C
ds
+C
gd
C
rss
=C
gd
Gate Charge Characteristics
12
10
V
DS
=300V
V
DS
=480V
V
DS
=120V
C
iss
Notes:
1. V
GS
=0V
2. f = 1MHz
8
6
4
2
0
0
Note: I
D
=4A
5
10
15
20
25
Drain-SourceVoltage, V
DS
(V)
Total Gate Charge, Q
G
(nC)
Thermal Response,
θ
JC
(t)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
P
D
(w)
7 of 8
QW-R502-061,Q