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    19N10L-TA3-T 参数 Datasheet PDF下载

    19N10L-TA3-T图片预览
    型号： 19N10L-TA3-T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 100V N沟道MOSFET [100V N-Channel MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 6 页 / 227 K
    品牌： UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
     浏览型号19N10L-TA3-T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号19N10L-TA3-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号19N10L-TA3-T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号19N10L-TA3-T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号19N10L-TA3-T的Datasheet PDF文件第6页  
    19N10
    TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS (Cont.)
    R
    L
    V
    DD
    Power MOSFET
    V
    DS
    V
    GS
    R
    G
    V
    DS
    90%
    10V
    Pulse Width≤ 1μs
    Duty Factor≤0.1%
    D.U.T.
    V
    GS
    10%
    t
    D(ON)
    t
    R
    t
    D(OFF)
    t
    F
    Fig. 2A Switching Test Circuit
    Fig. 2B Switching Waveforms
    10V
    Q
    GS
    Q
    G
    Q
    GD
    V
    GS
    Charge
    Fig. 3A Gate Charge Test Circuit
    Fig. 3B Gate Charge Waveform
    V
    DS
    L
    BV
    DSS
    I
    AS
    R
    D
    V
    DD
    D.U.T.
    V
    DD
    I
    D(t)
    V
    DS(t)
    10V
    t
    p
    t
    p
    Time
    Fig. 4A Unclamped Inductive Switching Test Circuit
    Fig. 4B Unclamped Inductive Switching Waveforms
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
    www.unisonic.com.tw
    5 of 6
    QW-R502-261.D

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