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    13N50L-TA3-T 参数 Datasheet PDF下载

    13N50L-TA3-T图片预览
    型号： 13N50L-TA3-T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 500V N沟道MOSFET [500V N-CHANNEL MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 6 页 / 178 K
    品牌： UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
     浏览型号13N50L-TA3-T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号13N50L-TA3-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号13N50L-TA3-T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号13N50L-TA3-T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号13N50L-TA3-T的Datasheet PDF文件第6页  
    13N50
    Preliminary
    Power MOSFET
    TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS
    D.U.T.
    +
    V
    DS
    -
    I
    SD
    L
    Driver
    R
    G
    Same Type
    as D.U.T.
    V
    DD
    V
    GS
    * dv/dt controlled by R
    G
    * I
    SD
    controlled by pulse period
    Fig. 1A Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
    V
    GS
    (Driver)
    D=
    Gate Pulse Width
    Gate Pulse Period
    10V
    I
    FM
    , Body Diode Forward Current
    I
    SD
    (D.U.T.)
    I
    RM
    Body Diode Reverse Current
    V
    DS
    (D.U.T.)
    di/dt
    Body Diode Recovery dv/dt
    V
    SD
    V
    DD
    Body Diode
    Forward Voltage Drop
    Fig. 1B Peak Diode Recovery dv/dt Waveforms
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
    www.unisonic.com.tw
    4 of 6
    QW-R502-362.c

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