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12N60G-X-TA3-T 参数 Datasheet PDF下载

12N60G-X-TA3-T图片预览
型号: 12N60G-X-TA3-T
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内容描述: 12安培, 600/650伏特N沟道MOSFET [12 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 358 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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12N60
TYPICAL CHARACTERISTICS
On-Resign Characteristics
V
GS
15V
1
10V
10
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
Bottom: 5.5V
10
0
Notes:
250µs Pulse Test
T
C
=25°C
10
-1
Power MOSFET
Transfer Characteristics
Top:
10
1
150°C
25°C
10
0
55°C
10
10
Drain-Source Voltage, V
GS
(V)
0
1
10
-1
2
Notes:
1.V
DS
=50V
2.250µs Pulse Test
4
6
8
Gate-Source Voltage, V
GS
(V)
10
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
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QW-R502-170.E