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    10N60L-B-TA3-T 参数 Datasheet PDF下载

    10N60L-B-TA3-T图片预览
    型号： 10N60L-B-TA3-T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 10安培， 600/650伏特N沟道功率MOSFET [10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 233 K
    品牌： UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
     浏览型号10N60L-B-TA3-T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号10N60L-B-TA3-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号10N60L-B-TA3-T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号10N60L-B-TA3-T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号10N60L-B-TA3-T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号10N60L-B-TA3-T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号10N60L-B-TA3-T的Datasheet PDF文件第8页浏览型号10N60L-B-TA3-T的Datasheet PDF文件第9页  
    10N60
    TYPICAL CHARACTERISTICS(Cont.)
    Power MOSFET
    Drain-Source Breakdown Voltage,
    BV
    DSS
    (Normalized)
    Maximum Safe Operating Area
    10
    2
    Operation in this Area is United by R
    DM
    10μs
    Drain Current, I
    D
    (A)
    10
    1
    DC
    1ms
    10ms
    100ms
    Drain Current, I
    D
    (A)
    10
    3
    100μs
    10
    0
    Notes:
    1.T
    C
    =25℃
    2.T
    J
    =150℃
    3.Single Pulse
    10
    -1 0
    10
    10
    2
    10
    1
    Drain-Source Voltage, V
    DS
    (V)
    Drain-Source On-Resistance, R
    DS(ON)
    (Normalized)
    Maximum Drain Current vs. Case Temperature
    10
    8
    6
    4
    2
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    Case Temperature, T
    C
    (℃)
    150
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
    www.unisonic.com.tw
    7 of 9
    QW-R502-119.A

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