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    10N60L-X-TF1-T 参数 Datasheet PDF下载

    10N60L-X-TF1-T图片预览
    型号： 10N60L-X-TF1-T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 10安培， 600/650伏特N沟道功率MOSFET [10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 330 K
    品牌： UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
     浏览型号10N60L-X-TF1-T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号10N60L-X-TF1-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号10N60L-X-TF1-T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号10N60L-X-TF1-T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号10N60L-X-TF1-T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号10N60L-X-TF1-T的Datasheet PDF文件第7页浏览型号10N60L-X-TF1-T的Datasheet PDF文件第8页  
    10N60
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Cont.)
    PARAMETER
    SYMBOL
    TEST CONDITIONS
    DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS
    Drain-Source Diode Forward Voltage
    V
    SD
    V
    GS
    = 0 V, I
    S
    =10A
    Maximum Continuous Drain-Source Diode
    I
    S
    Forward Current
    Maximum Pulsed Drain-Source Diode
    I
    SM
    Forward Current
    V
    GS
    = 0 V, I
    S
    = 10A,
    Reverse Recovery Time
    t
    RR
    dI
    F
    / dt = 100 A/µs (Note 1)
    Reverse Recovery Charge
    Q
    RR
    Notes: 1. Pulse Test : Pulse width
    ≤300µs,
    Duty cycle
    ≤2%
    2. Essentially independent of operating temperature
    Power MOSFET
    MIN TYP MAX UNIT
    1.4
    10
    38
    420
    4.2
    V
    A
    A
    ns
    µC
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
    www.unisonic.com.tw
    3 of 8
    QW-R502-119.E

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