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MID-56H19 参数 Datasheet PDF下载

MID-56H19图片预览
型号: MID-56H19
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内容描述: T-1 3/4封装PIN光电二极管 [T-1 3/4 PACKAGE PIN PHOTODIODE]
分类和应用: 光电二极管光电二极管
文件页数/大小: 3 页 / 39 K
品牌: UOT [ UNITY OPTO TECHNOLOGY ]
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MID-56H19
光电特性
@ T
A
=25
o
C
参数
反向击穿电压
反向暗电流
开路电压
上升时间
光电流
总电容
测试条件
I
R
=100µA
Ee=0
V
R
=10V
Ee=0
λ=850nm
Ee=0.1mW/cm
V
R
=10V,λ=850nm
R
L
=50Ω
V
R
=5V ,
λ=850nm
Ee=0.1mW/cm
V
R
= 3V , F = 1MH
Z
Ee=0
2
2
符号
V
( BR )R
I
D
V
OC
Tr
Tf
I
L
C
T
分钟。
30
类型。
马克斯。
单位
V
30
350
40
30
7
12
25
nA
mV
纳秒
µA
pF
典型的光 - 电特性曲线
4000
100
电容C - pF的
暗电流 - pA的
3000
80
60
40
20
0
2000
1000
0
0
5
10
15
20
0.01
0.1
1
10
100
反向电压 - V
R
图1中的暗电流VS反向电压
o
2
TEMP = 25℃ , EE = 0毫瓦/平方厘米
总功率耗散毫瓦
200
反向电压 - V
R
图2电容比。反向电压
2
F = 1MHz时, EE = 0mW /厘米
1000
150
暗电流IR - NA
100
100
10
50
1
0
0
20
40
60
80
o
0.1
100
0
20
40
60
80
o
100
环境温度 - C
图3总功耗
- 环境温度
环境温度 - ç
图4中的暗电流VS AMBIENT
温度
V
R
= 10, EE = 0毫瓦/平方厘米
2
东贝光电科技有限公司
02/04/2002