DBES105a
倒装芯片双二极管
砷化镓二极管
描述
该DBES105a是基于双肖特基二极管
上一个低成本1μm的步进过程包括一个
凹凸科技。寄生电感是
降低,导致非常高的操作
频率。
此倒装芯片双二极管已被设计为
高性能混频器的应用程序。
主要特点
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高截止频率: 3THz
■
高击穿电压: < -5V
@ 20µA
■
良好的理想因子: 1.2
■
低寄生电感
■
低成本技术
■
尺寸: 0.53 X 0.23 X 0.1毫米
主要特点
TAMB 。 = 25°C
符号
Wu
FCO
n
BVak
门宽
截止频率
理想因子
阳极 - 阴极击穿电压
参数
典型值
5
3
1.2
< -5
单位
µm
太赫兹
V
ESD保护:静电放电敏感器件。观察处理注意事项!
参考文献。 : DSDBES1051067 -08 -MAR -01
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