DBES105A_09 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DBES105A_09
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	倒装芯片双二极管 [Flip-Chip Dual Diode]
分类和应用：	二极管
文件页数/大小：	4 页 / 78 K
品牌：	UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]

DBES105a

符合RoHS

倒装芯片双二极管

砷化镓二极管

描述

100

直径20

该DBES105a是基于双肖特基二极管

上一个低成本1μm的步进过程包括一个

凹凸科技。寄生电感是

降低，导致非常高的操作

频率。

此倒装芯片双二极管已被设计为

高性能混频器的应用程序。

204

460

530

204

160

230

主要特点

■

高截止频率： 3THz

■

高击穿电压： < -5V @ 20μA

■

良好的理想因子： 1.2

■

低寄生电感

■

低成本技术

■

尺寸： 0.53 X 0.23 X 0.1毫米

主要特点

TAMB 。 = 25°

符号

FCO

BVak

门宽

截止频率

理想因子

阳极 - 阴极击穿电压

参数

典型值

1.2

< -5

单位

µm

太赫兹

ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！

参考文献。： DSDBES105a6354 - 〇六年十二月二十日

1/4

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

联合单片半导体S.A.S.

路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国

电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案