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型号: CHV2270
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内容描述: 完全集成的Ku波段HBT VCO的低成本/高线性度 [Fully Integrated Ku-band HBT VCO Low cost / High linearity]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 259 K
品牌: UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
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CHV2270
完全集成的Ku波段HBT VCO
低成本/高线性度
GaAs单片微波IC
描述
该CHV2270是一个多功能的频率
一代。它集成了C波段均衡
电压控制振荡器提供一个Ku波段
带输出( 2
nd
谐波) ,用不同的
调制斜坡控制等功能
像线性改善装置使
适用于雷达调制。它也包括一个
双级预分频器,可调节的介质
功率放大器和一个温度传感器。
该VCO完全集成在HBT工艺。
片上基极 - 集电极二极管用作
变容二极管。所有有源器件内部
自偏置缓解偏的配置。该芯片
与自动化设备的兼容
装配。
该电路对HBT工艺制造的
2μm的发射极长度,经由通​​孔
基板和高Q值无源元件。
它是在芯片的形式提供。
VMT
VFT
VCT
SETN
法律信息网
+V
SETHP
6.375GHz
RF_OUT
x2
12.75GHz
÷
N
HBT VCO
PresN_OUT
VTEMP
VCO多功能框图
主要特点
-40 °C至+ 125 °温度范围
C
C
低的温度依赖性
完全集成的VCO架构
预分频器高达F_out / 128
低相位噪声
低成本/高线性导向
可调输出功率
温度传感器
很简单的偏置配置
低DC功耗
自动装配导向
氮化硅层保护
芯片尺寸: 1.38× 2.05 X 0.1毫米
典型的VCO F_out ( VCT )调整(千兆赫)
12,8
12,75
F_out (千兆赫)
12,7
12,65
12,6
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
典型的自由运行VCO F_out ( VMT )调
主要特点
TAMB = + 25 °
C
符号
F_OUT
PN
参数
指定的输出频率范围
相位噪声@ F_out至100kHz偏移
输出功率
12.65
典型值
12.75
-100
5或14
最大
12.85
单位
GHz的
dBc的/赫兹
DBM
参考: DSCHV22707117 -27四月七日
1/8
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
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