6-9GHz下变频器
器件的热性能
CHR3861-QEG
所有在本节中给出的数字是假设高QFN器件冷却
下来只有通过封装散热垫传导（对流模式不
考虑） 。
将温度在封装背面侧接口（温度上限），如下所示进行监测。
在系统的最高温度必须以保证温度上限来调整
保持低于比下表中规定的最大值。因此，系统的PCB必须
设计符合这种要求。
降容必须在耗散功率应用如温度上限温度不能
下面保持比以保证标称规定的最高温度
设备的续航时间（ MTTF ） （请参阅下面的曲线PDISS最大） 。
设备散热规范： CHR3861 - QEG
推荐最大。结温（Tj最大）
:
164
结温绝对最大额定值
:
175
马克斯。连续耗散功率（ PDISS最大。 ）
:
1.5
(1)
= > PDISS 。马克斯。减额以上的温度上限= 85
°C :
19
(2)
结 - 壳热阻（ Rth的J- C）
:
<51
(3)
最低温度上限工作温度
:
-40
(3)
最高温度上限工作温度
:
85
最低储存温度
:
-55
最大存储温度
:
150
（ 1降额在分线箱ñ低温共nstant = Tj最高。
)
°C
°C
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
°C
°C
（ 2 ） Rth的JC计算FOラを第一个案例合作nsidering的
豪吨T E S T Junc吨IO ñ
华氏度的M M IC和所有偏见的设备。
（3）温度上限= P ackage背面下模片固定垫测量侧温度（见图纸贝洛瓦特） 。
1.6
1.4
PDISS 。马克斯。 @Tj <Tj最大值（W）的
TCASE
1.2
1
0.8
0.6
0.4
PDISS 。马克斯。 @Tj <Tj最大值（W）的
0.2
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
温度上限（ ℃）
例如： 16L QFN 3×3
temeprature的位置
基准点（温度上限）
在包装的底部
6.1
RefDSCHR3861 - QEG1192 - 11年7月11日
5/18
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
