CHR3861-QEG
符合RoHS
6-9GHz集成下变频器
GaAs单片微波集成电路的封装SMD
描述
该CHR3861 - QEG是一个多功能的一部分，
它集成了一个平衡的冷FET混频器，
一个LO bufffer和RF LNA增益，包括
控制权。它被设计用于大范围的
应用程序，通常ISM和商业
通信系统。
该电路的是， pHEMT的制
过程中， 0.25微米栅长。
它是无铅SMD封装。
20
UMS
R3861
YYWW
16
主要特点
12
■
射频性能5.9-9.0GHz
■
12分贝转换增益
■
1
dBm的输入IP3
■
9分贝增益控制
■
15dBc镜像抑制
■
24LQFN4x5
■
ESD保护
增益（dB ）
8
4
0
GC3 = -1.5V
-4
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
射频频率（ GHz）的
-0.7V
-0.6V
-0.5V
-0.4V
0V
主要特点
TAMB = + 25 ° C， VD = 4V
符号
F
RF
F
LO
F
IF
G
c
参数
RF频率范围
LO频率范围
IF频率范围
转换增益
民
5.9
3.0
DC
12
典型值
最大
9.0
12.5
3.5
单位
GHz的
GHz的
GHz的
dB
ESD保护：静电放电敏感器件观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHR3861 - QEG1192 - 11年7月11日
1/18
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
