CHR3694-QDG
电气特性
37-40GHz下变频器
TAMB = + 25 ° C， VDL = VDX = 4V ，典型的VGX = -0.9V & VGM = -0.7V
符号
F
RF
F
LO
F
IF
G
巴解组织
IFR
NF
IIP3
LO RL
RF RL
Gc
参数
RF频率范围
LO频率范围
IF频率范围
转换增益@ VGC = -2V
转换增益@ VGC = 0V
LO输入功率
镜像频率抑制（ 1 ）
噪声系数@ VGC = -2V ，为IF>0.1GHz
噪声系数@ VGC = 0V ，为IF>0.1GHz
输入IP3
LO输入回波损耗
RF输入回波损耗
增益控制范围
13
民
37
17.5
DC
8
11
10
14
1
15
5
4.5
-5
-10
-4
4
4
-2
100
110
140
150
0
180
190
-8
-3
6.5
6
典型值
最大
40
21
3.5
单位
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
DBM
dBc的
dB
dB
DBM
dB
dB
dB
V
V
mA
mA
VDL ， VDX漏极偏置电压
VGC
IDL +并按Idx
增益控制电压（2）
偏置电流@ VGC = -2V （ 3 ）
偏置电流@ VGC = 0V （ 3 ）
（1）在外部的I / Q 90 °混合耦合器
（ 2 ） IDL = 50mA在VGC = -2V ， IDL = 60毫安@ VGC = 0V
（ 3 ）通常情况下， IDL = 60毫安@ VGC = 0V ，并按Idx = 90毫安
这些数值代表的车载测量为在规定的图纸上
16页CHR3694 - QDG和17页CHR3794 - QDG 。
参考文献。 ： DSCHR3694 - QDG1192 - 11年7月11日
2/18
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
