21-26.5GHz集成下变频器
器件的热性能
CHR3693-QDG
所有在本节中给出的数字是假设高QFN器件冷却
下来只有通过封装散热焊盘（不考虑对流方式）传导。
将温度在封装背面侧接口（温度上限），如下所示进行监测。
在系统的最高温度必须以保证温度上限来调整
保持低于比下表中规定的最大值。因此，系统的PCB必须
设计符合这种要求。
降容必须在耗散功率应用如温度上限温度不能
以下保持超过规定的最高温度（见曲线PDISS最大）的
命令来保证标称设备寿命时间（ MTTF） 。
设备散热规范：产品名称
推荐最大。结温（Tj最大）
:
124
结温绝对最大额定值
:
175
马克斯。连续耗散功率（ PDISS最大。 ）
:
0.64
(1)
= > PDISS 。马克斯。减额以上的温度上限= 85
°C :
16
(2)
结 - 壳热阻（ Rth的J- C）
:
<60
(3)
最低温度上限工作温度
:
-40
(3)
最高温度上限工作温度
:
85
最低储存温度
:
-55
最大存储温度
:
150
（ 1降额在分线箱ñ低温共nstant = Tj最高。
)
°C
°C
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
°C
°C
（ 2 ） Rth的JC计算FOラを第一个案例合作nsidering的
豪吨T E S T Junc吨IO ñ
华氏度的M M IC和所有偏见的设备。
（3）温度上限= P ackage背面下模片固定垫测量侧温度（见图纸贝洛瓦特） 。
0.7
PDISS 。马克斯。 @Tj <Tj最大值（W）的
TCASE
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
PDISS 。马克斯。 @Tj <Tj最大值（W）的
0.1
0
-50
-25
0
25
50
温度上限（ ℃）
75
100
125
150
例如： 16L QFN 3×3
例如： 16L QFN 3×3
temeprature的位置
温度的位置
基准点（温度上限）
基准点（温度上限）
在包装的底部
在包装的底部
6.4
参考文献。 ： DSCHR3693QDG2181 - 12年6月29日
3/14
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
蝙蝠。 Charmille酒店 - 公园SILIC - 10 ，大道魁北克 - 91140维勒邦河畔伊薇特 - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 86 32 00 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 86 34 34
UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
