CHR3663-QEG
器件的热性能
17-24GHz下变频器
所有在本节中给出的数字是假设高QFN器件冷却
下来才通过封装的热传导垫片（无对流模式
考虑） 。
将温度在封装背面侧接口（温度上限），如下所示进行监测。
在系统的最高温度必须以保证温度上限来调整
保持低于比下表中规定的最大值。因此，系统的PCB必须
设计符合这种要求。
降容必须在耗散功率应用如温度上限温度不能
下面保持比以保证标称规定的最高温度
设备寿命时间（MTTF ）（见曲线PDISS最大） 。
设备散热规范： CHR3663 - QEG
提交您最大。结温（Tj最大）
:
143
结温绝对最大额定值
:
175
马克斯。连续耗散功率@温度上限=
85 °C :
1,71
(1)
= > PDISS降额以上的温度上限=
85 °C :
29
(2)
结 - 壳热阻（ Rth的J- C）
:
<34
(3)
分钟。包装背面的操作温度
:
-40
(3)
马克斯。包装背面的操作温度
:
85
分钟。储存温度
:
-55
马克斯。储存温度
:
125
（ 1 ）降额在结温恒定= Tj最高
（2） Rth的JC被计算为最坏情况下
热结
在MMIC中被考虑。
°C
°C
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
°C
°C
（ 3 ）温度上限=包背在芯片附着垫测量端温度（见下图） 。
1,8
1,6
1,4
PDISS 。马克斯。 （W）的
TCASE
1,2
1
0,8
0,6
0,4
PDISS 。马克斯。 （W）的
0,2
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
温度上限（ ℃）
的QFN 16L 3x3的例子
背面图，温度
基准点（温度上限）的位置。
5.6
参考文献。 ： DSCHR3663 - QEG1192 - 11年7月11日
4/18
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
