CHR3362-QEG
符合RoHS
10-16GHz集成下变频器
GaAs单片微波集成电路的SMD无铅封装
描述
该CHR3362 - QEG是一个多功能
单片电路，它集成了
平衡冷FET混频器， LO缓冲器和一个
RF LNA包括增益控制。
它被设计用于大范围的
应用程序，通常ISM和商业
通信系统。
该电路具有的pHEMT制
过程中， 0.25μm的栅极长度，导通孔
穿过衬底，空气桥和
电子束光刻门。
这是符合RoHS标准的SMD提供
封装。
UMS
R3362
YYWW
主要特点
18
增益与衰减
16
14
■
宽带RF性能10-16GHz
■
13分贝转换增益
■
2dBm的输入IP3
■
9分贝增益控制
■
15dBc镜像抑制
■
24LQFN4x5 - MSL1
■
ESD保护
转换增益（dB ）
12
10
8
6
4
2
GC=-1,5V
GC=-0,7V
GC=-0,6V
GC=-0,5V
GC=-0.3V
GC=0V
0
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
射频频率（ GHz）的
主要特点
TAMB = + 25°C
符号
参数
F
RF
RF频率范围
F
LO
LO频率范围
F
IF
IF频率范围
G
c
转换增益
民
10
6.5
DC
典型值
最大
16
19.5
3.5
单位
GHz的
GHz的
GHz的
DBM
13
参考文献。 ： DSCHR3362 - QEG1192 - 11年7月11日
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