CHR3352-QEG
12-16GHz集成下变频器
器件的热性能
所有在本节中给出的数字是假设高QFN器件冷却
只有通过封装的热传导垫片（无对流模式考虑） 。
将温度在封装背面侧接口（温度上限），如下所示进行监测。
在系统的最高温度必须以保证温度上限遗体进行调整
下面比下表中规定的最大值。因此，系统的PCB的设计必须
符合这一要求。
降容必须在耗散功率应用如温度上限温度不能
以下保持超过规定的最高温度（见曲线PDISS最大） ，以
来保证标称设备寿命时间（ MTTF） 。
设备散热规范： CHR3352 - QEG
推荐最大。结温（Tj最大）
:
174
结温绝对最大额定值
:
175
马克斯。连续耗散功率（ PDISS最大。 ）
:
1.0
= > PDISS 。马克斯。降额以上的温度上限
(1)
= 85
°C :
11
(2)
结 - 壳热阻（ Rth的J- C）
:
<89
(3)
最低温度上限工作温度
:
-40
(3)
最高温度上限工作温度
:
85
最低储存温度
:
-55
最大存储温度
:
150
（ 1降额在分线箱ñ低温共nstant = Tj最高。
)
°C
°C
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
°C
°C
（ 2 ） Rth的JC计算FOラを第一个案例合作nsidering的
豪吨T E S T Junc吨IO ñ
华氏度的M M IC和所有偏见的设备。
（3）温度上限= P ackage背面下模片固定垫测量侧温度（见图纸贝洛瓦特） 。
1.2
PDISS 。马克斯。 @Tj <Tj最大值（W）的
TCASE
1
0.8
0.6
0.4
PDISS 。马克斯。 @Tj <Tj最大值（W）的
0.2
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
例如： 16L QFN 3×3
temeprature的位置
基准点（温度上限）
在包装的底部
温度上限（ ℃）
6.0
参考文献。 ： DSCHR3352 - QEG1192 - 11年7月11日
4/16
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